酷睿Ultra 200S内核细节曝光：台积电几乎包圆！Intel只贡献22nm基板_科技快讯

快科技报道了Arrow Lake酷睿Ultra 200S系列的内核布局细节，包括不同模块的安排、具体的制造工艺和面积。该系列采用了芯粒设计，由四个不同模块组成，包括计算模块、核显模块、系统单元模块和输入输出模块。这些模块都是由台积电制造的，是首个几乎完全采用外部代工的产品。此外，角落里还有两个填充模块，用于补充与支撑整体结构，便于封装。所有模块之下是基板，由Intel 16工艺制造，面积较大。该系列的具体布局可以看到八个P核、16个E核，其中后者分为四个集群，与P核交错分布。二级缓存每个P核有3MB，每组四个E核共享4MB，并分为1.5MB、1.5MB、1MB三个部分，整体合计40MB。三级缓存则是每个P核、每组E核有3MB，合计36MB。核显模块相比于Meteor Lake上的几乎没变，还是四个Alchemist架构的Xe-LPG核心，每个核心内部有八组Dual-XVE计算引擎，还分布着不同规模的一二级缓存。该系列还包含复杂的系统单元模块，包括第三代NPU引擎、DDR5内存控制器、媒体引擎、显示引擎、USB控制器、PCIe 5.0 x4/x12物理层等。输入输出模块则比较简单，主要服务于雷电4和更多的PCIe接口，包括两组PCIe 5.0 x4物理层缓冲，以及雷电4物理层、缓冲和显示物理层等。如需转载请注明出处：快科技。